工艺技术 -永利汇

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无源制程产品介绍

ipd2m

 
  • 适用于无源电路芯片设计与制造;
  • 匹配电路、功分器/合成器、滤波器、耦合器等。
gaas制程产品介绍

ppa25: 0.25 µm power phemt工艺

工艺特点:
  • 0.25μm optical t-gate
  • 平坦化工艺(离子注入隔离)
  • 特殊 double recess结构
  • high-q 钝化层
  • mim 电容
  • tan 电阻(50ω/sq)
  • gaas 电阻
  • 空气桥
  • 背面通孔
  • protection overcoat(pbo)
  • operation up to vd=8v
典型技术参数:

idss=360ma/mm,gm=450ms/mm,bvgd=18v,vth=-1.1v
 
  • 适用于宽带、窄带中小功率放大器,可实现多种mmic
用“芯”成就客户
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