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海威"芯"品 | hiwafer ppa15工艺正式发布-永利汇

2019/04/01

2019年3月28日,海威华芯(hiwafer)成功完成首套0.15微米砷化镓(gaas)工艺制程开发。


工艺能力

hiwafer ppa15工艺基于先进的高电子迁移率晶体管(phemt)器件结构,具有工作频率高、输出功率密度大、噪声系数低等优点,工艺性能达到业界先进水平。

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hiwafer ppa15工艺可支持的产品种类包括功率放大器、低噪声放大器、混频器、开关等常用电路形式,工作频率高达50ghz,可广泛应用于5g移动通讯、卫星通讯、国防等诸多毫米波应用场景。

hiwafer ppa15工艺采用目前业界最大的150mm砷化镓晶圆制造技术,可为国内外客户提供成熟、稳定、高效、量产的产品研发及生产制造平台。

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pdk

目前,hiwafer ppa15工艺已经通过客户多款电路试用验证,包括放大器、开关、混频器等,电路性能达到业界先进水平,电路稳定可靠、良品率高。

海威

hiwafer ppa15工艺现可提供完整的工艺设计套件(pdk)供客户进行电路设计。该pdk中集成了高精度的器件模型,可精准预测电路性能结果,从而可以减少客户产品的研发迭代次数,缩短研制周期

hiwafer ppa15工艺的成功发布,使得海威华芯的砷化镓射频工艺种类更加丰富,从单一功能到多功能,从低频到毫米波,可为客户提供更加丰富多样的技术服务。